參數(shù)資料
型號： APT100GN60LDQ4
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 448K
代理商： APT100GN60LDQ4
050-7622
Rev
A
10-2005
APT100GN60LDQ4(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4
3
1
2
5
Zero
1
2
3
4
diF/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
IF - Forward Conduction Current
IRRM - Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time, measured from zero crossing where diode
Qrr - Area Under the Curve Defined by IRRM and trr.
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through IRRM and 0.25 IRRM passes through zero.
Figure 32. Diode Test Circuit
Figure 33, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
diF/dt Adjust
30H
D.U.T.
+18V
0V
Vr
trr/Qrr
Waveform
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
TO-264(L) Package Outline
Dimensions in Millimeters and (Inches)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
C
ol
le
ct
or
(C
at
ho
de
)
APT60M75L2LL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GN60LDQ4G 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT100GN60LDQ4 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT100GT120JRDLG 123 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GT60LRG 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT100GT60B2R 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GN60LDQ4G 功能描述:IGBT 600V 229A 625W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT100GT120JR 功能描述:IGBT 1200V 123A 570W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT120JRDL 功能描述:IGBT 1200V 123A 570W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT120JRDQ4 功能描述:IGBT 1200V 123A 570W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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