參數(shù)資料
型號(hào)： AOD606L
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 215K
代理商： AOD606L
AOD606
P-Channel MOSFET Electrical Characteristics (T
J
=25°C unless otherwise noted)
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
-Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.0001
40
80
120
160
200
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
-V
DS
(Volts)
-
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
100
μ
s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=175°C, T
A
=25°C
V
DS
=-20V
I
D
=-8A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θ
JC
.R
θ
JC
R
θ
JC
=3°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=175°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD607 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD607L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD608 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AOD607 功能描述:MOSFET COMPL 30V 12A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AOD607_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD607_08 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD607_DELTA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，10V，37 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 4.5V，11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 15V，1100pF @ 15V 功率 - 最大值:25W（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD607A 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc），12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 8A，10V，27 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 功率 - 最大值:19W（Tc），30W（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
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