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參數(shù)資料
| 型號： | AOD603L |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增強模式互補場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | AOD603L |
AOD603
N-Channel MOSFET TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
40
50
60
70
80
0
4
8
12
16
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=4.5V,6A
V
GS
=10V, 12A
40
60
80
100
120
140
160
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=12A
25°C
125°C
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=4V
3.5V
6V
7V
10V
4.5V
5V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD604 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD604L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD606 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD606L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD607 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOD604 | 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 40V TO252-5 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AOD604L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD606 | 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 40V TO252-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AOD606_08 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD606L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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