參數(shù)資料
型號： AOD484
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 154K
代理商： AOD484
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
17
55
2.3
Max
25
60
3
R
θ
JC
W
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±20
25
25
80
15
33
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
G
Drain-Source Voltage
30
Pulsed Drain Current
C
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
Maximum
Units
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
50
25
2.1
-55 to 175
A
mJ
W
T
A
=70°C
1.3
Power Dissipation
A
P
DSM
AOD484
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 25 A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 15 m
Ω
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 23 m
Ω
(V
GS
= 4.5V)
UIS Tested!
General Description
The AOD484 uses advanced trench technology and
design to provide excellent R
DS(ON)
with low gate
charge. This device is suitable for use in PWM, load
switching and general purpose applications.
Standard Product AOD484 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AOD484L is a Green
Product ordering option. AOD484 and AOD484L
are electrically identical.
G
D
S
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD486A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD488 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD494 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD496 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOD484_09 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AOD486A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOD486A_08 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD488 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD492 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*