參數(shù)資料
型號(hào)： AOD494
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 132K
代理商： AOD494
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
15
41
2
Max
20
50
2.4
R
θ
JC
4
W
T
A
=70°C
2.6
W
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
63
31
-55 to 175
T
C
=100°C
T
A
=25°C
I
D
Continuous Drain
Current
Pulsed Drain Current
C
Maximum
30
±12
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Maximum Junction-to-Ambient
A,D
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
Steady-State
55
39
120
30
135
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
Power Dissipation
A
P
DSM
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
Gate-Source Voltage
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A,D
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
A
mJ
AOD494
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 55A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
<11m
Ω
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 13.5m
Ω
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AOD494 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge.This device
is suitable for use as a high side switch in SMPS and
general purpose applications.
Standard Product
AOD494 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AOD494L is a Green Product ordering
option. AOD494 and AOD494L are electrically
identical.
D
S
G
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD496 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD603L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD604 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD604L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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