參數(shù)資料
型號(hào)： AOD486A
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： AOD486A
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
17.4
45
1.2
Max
30
60
3
R
θ
JC
W
T
A
=70°C
2.7
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
P
DSM
4.1
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
135
50
25
A
mJ
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 175
T
C
=100°C
Avalanche Current
C
30
I
D
50
36
100
Pulsed Drain Current
C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
Continuous Drain
Current
G
Maximum
40
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±20
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AOD486A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 50 A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 9.8 m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 13 m
(V
GS
= 4.5V)
ESD PROTECTED
UIS Tested
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AOD486A uses advanced trench technology and
design to provide excellent R
DS(ON)
with low gate
charge. It is ESD protected. This device is suitable for
use in PWM, load switching and general purpose
applications.
Standard Product AOD486A is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications).
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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