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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOB405L |
| 廠商： | ALPHA |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 120K |
| 代理商： | AOB405L |
AOB405
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
I
D
=-10mA, V
GS
=0V
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-3V
-6V
-3.5V
-4V
-10V
-5V
0
5
10
15
20
25
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
0
5
10
15
20
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
-
S
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
25°C
125°C
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=-10V
I
D
=-12A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-8A
30
45
60
75
90
105
120
135
150
3
4
5
6
7
8
9
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
25°C
125°C
-4.5V
I
D
=-12A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOB416 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB416L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB418 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB418L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB428 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AOB410L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
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