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參數(shù)資料
| 型號： | AO9926 |
| 廠商： | Alpha Industries, Inc. |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 234K |
| 代理商： | AO9926 |
AO9926
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
BV
DSS
20
V
1
5
T
J
=55°C
1200
C
I
GSS
V
GS(th)
I
D(ON)
100
1
nA
V
A
0.4
15
C
oss
0.6
41
58
52
67
11
0.76
DS
(Volts)
50
70
63
87
T
J
=125°C
m
m
g
FS
V
SD
I
S
DYNAMIC PARAMETERS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capa
Gate resistance
SWITCHING PARAMETERS
Total Gate Charge
Gate Source Charge
Gate Drain Charge
Turn-On DelayTime
Turn-On Rise Time
Turn-Off DelayTime
Turn-Off Fall Time
Body Diode Reverse RI
F
=5A, dI/dt=100A/
s
Body Diode Reverse RI
F
=5A, dI/dt=100A/
μ
s
V
DS
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
S
V
A
1
C
iss
C
oss
C
rss
R
g
436
66
44
3
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(on)
t
r
t
D(off)
t
f
t
rr
Q
rr
6.2
1.6
0.5
5.5
6.3
40
12.7
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
12.3
nC
Drain-Source Breakdow
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
Zero Gate Voltage
Drain Current
I
DSS
V
DS
=16V, V
GS
=0V
μ
A
Gate-Body leakage curV
DS
=0V, V
GS
=±8V
Gate Threshold VoltagV
DS
=V
GS
I
D
=250
μ
A
On state drain current V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
R
DS(ON)
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
=4.5V, I
D
=5A
m
V
GS
=2.5V, I
D
=4A
V
GS
=1.8V, I
D
=3A
Forward TransconductV
DS
=5V, I
D
=5A
Diode Forward VoltageI
S
=1A,V
GS
=0V
Maximum Body-Diode Continuous Current
V
GS
=0V, V
DS
=10V, f=1MHz
V
GS
=0V, V
DS
=0V, f=1MHz
100
μ
s
10
μ
s
V
GS
=4.5V, V
DS
=10V, I
D
=5A
V
GS
=5V, V
DS
=10V, R
L
=2
,
R
GEN
=6
DC
0
1
2
3
4
5
0
7
Q
(nC)
V
G
0
200
400
600
800
1000
1400
1600
1800
0
5
10
15
20
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
0
0.001
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
C
rss
0.1
1.0
100.0
0.1
100
I
D
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DS(ON)
J(Max)
=150°C
V
DS
=10V
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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