參數(shù)資料
型號： AO9926
廠商： Alpha Industries, Inc.
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 234K
代理商： AO9926
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
56
81
40
Max
62.5
110
48
R
θ
JL
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Maximum
20
±8
5
Units
V
V
A
T
A
=70°C
4.2
20
2
Pulsed Drain Current
B
T
A
=25°C
I
D
T
A
=70°C
1.28
W
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
°C/W
°C/W
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AO9926
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Feb 2003
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 5A
R
DS(ON)
< 50m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 65m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 90m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO9926 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. They
offer operation over a wide gate drive range from 1.8V
to 8V. The two devices may be used individually, in
parallel or to form a bidirectional blocking switch.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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