參數(shù)資料
型號： AO6804
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 146K
代理商： AO6804
AO6804
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
I
F
=-6.5A, dI/dt=100A/
μ
s
6
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATI25°C
CR
OUT O20
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
-40°C
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
I
D
3V
4.5V
2V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
25°C
125°C
V
DS
= 5V
-40°C
22
24
26
28
30
32
34
0
2
4
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 3.1V
V
GS
= 4.0V
1E-06
1E-05
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
125°C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
10
30
40
50
60
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
)
I
D
= 5.0A
25°C
125°C
V
GS
=1.8V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 5A
2.5V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO7401 LJT 55C 55#22D SKT RECP
AO7402 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7402L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7404 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AO6804A 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6804A_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:225pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO6806 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6808 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6808_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:780pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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