參數(shù)資料
型號： AO7402
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 113K
代理商： AO7402
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
300
340
280
Max
360
425
320
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
W
T
A
=70°C
0.22
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
P
D
0.35
A
T
A
=70°C
1.2
10
Pulsed Drain Current
B
Continuous Drain
Current
A
T
A
=25°C
I
D
1.6
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
20
±8
V
V
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Maximum
Units
AO7402
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 1.6 A (V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 90m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 105m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 130m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO7402 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V, in the small SOT323 footprint. It can
be used for a wide variety of applications, including load
switching, low current inverters and low current DC-DC
converters.
Standard Product AO7402 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AO7402L is a Green Product
ordering option. AO7402 and AO7402L are electrically
identical.
G
D
S
S
G
D
SC-70
(SOT-323)
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Alpha Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO7402L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7404 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7404L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7405 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7405L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AO7402L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7403 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.7A SC70 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO7403_001 功能描述:MOSFET P-CH SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:700mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.44nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:114pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:470 毫歐 @ 700mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SC-70（SOT323） 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AO7403L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7404 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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