參數(shù)資料
型號(hào)： AO6804
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： AO6804
Symbol
V
DS
V
GS
10 Sec
Steady State
20
5
4
4
3.2
I
DM
1.3
0.8
0.8
0.5
T
J
, T
STG
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Symbol
Typ
76
118
54
Max
95
150
68
t
≤
10s
Steady State
Steady State
R
θ
JL
±12
°C/W
°C/W
R
θ
JA
°C
-55 to 150
25
A
P
D
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Thermal Characteristics
Units
°C/W
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=70°C
Units
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
AO6804
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
= 20V
I
D
= 5.0A (V
GS
= 4.5V)
Typical Rds
R
DS(ON)
< 24m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 26m
(V
GS
= 4.0V)
R
DS(ON)
< 28m
(V
GS
= 3.1V)
R
DS(ON)
< 31m
(V
GS
= 2.5V)
General Description
The AO6804 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This device
is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
AO6804 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications).
D1/D2
G2
TSOP6
Top View
S2
D1/D2
S1
G1
1
2
3
6
5
4
G1
D1
S1
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO7401 LJT 55C 55#22D SKT RECP
AO7402 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7402L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7404 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7404L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO6804A 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6804A_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:225pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO6806 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6808 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6808_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 6A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:780pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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