參數(shù)資料
型號(hào)： AO6419L
廠商： ALPHA
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： AO6419L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
47.5
74
37
Max
62.5
110
50
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
2
1.4
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
-5
-4.2
-20
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
Continuous Drain
Current
A
Maximum
-30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±20
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AO6419
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -5 A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 52m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 87m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 110m
(V
GS
= -3.5V)
General Description
The AO6419 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
with
low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Standard Product AO6419 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6419L
is a Green Product ordering option. AO6419 and
AO6419L are electrically identical.
TSOP6
Top View
G
D
S
G
D
D
S
D
D
1
2
3
6
5
4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6601 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6601L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6602 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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