參數(shù)資料
型號： AO6419
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強型場效應晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 116K
代理商： AO6419
AO6419
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
2
4
0
5
10
15
20
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
-V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-3V
-3.5V
-4V
-10V
-4.5V
-5V
-6V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
25°C
125°C
V
DS
=-5V
20
40
60
80
100
1
3
5
7
9
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
V
GS
=-3.5V
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=-10V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-3.5V
40
60
80
100
120
140
160
6
8
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
I
D
=-5A
25°C
125°C
I
D
=-5A
-2.5V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料
PDF描述
AO6419L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6601 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6601L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6602 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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