參數(shù)資料
型號： AO4850
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 117K
代理商： AO4850
AO4850
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
V
GS
=10V, V
DS
=15V, I
D
=7.4A
100
μ
s
10ms
V
GS
=10V, V
DS
=15V, R
L
=2.0
, R
GEN
=3
1s
I
F
=7.4A, dI/dt=100A/
μ
s
F
=7.4A, dI/dt=100A/
μ
s
V
DS
(Volts)
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONE0.1
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Single Pulse
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
100
200
300
400
500
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
0.01
0.00001
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
1ms
0.1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
V
DS
=30V
I
D
=3.1A
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=110°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4900A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4900AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4900 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4900L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4902 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AO4850L 功能描述:MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4852 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4852L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4854 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSF N CH DL 30V 8A 8SOIC
AO4854L 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全稱:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High power and current handling capability
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