參數(shù)資料
型號： AO4850
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： AO4850
AO4850
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
V
GS
=10V, V
DS
=15V, I
D
=7.4A
V
GS
=10V, V
DS
=15V, R
L
=2.0
, R
GEN
=3
V
GS
=10V
I
F
=7.4A, dI/dt=100A/
μ
s
I
F
=7.4A, dI/dt=100A/
μ
s
THIS P120
CR
OUT OF 90
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3.5V
4V
4.5V
10V
0
3
6
9
12
15
1
2
3
4
5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
50
80
110
140
170
200
0
2
4
6
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=10V
I
D
=3.1A
V
GS
=4.5V
I
D
=2A
60
150
180
210
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
I
D
=3.1A
25°C
125°C
5V
6V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4900A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4900AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4900 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4900L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4902 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AO4850L 功能描述:MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4852 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4852L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4854 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSF N CH DL 30V 8A 8SOIC
AO4854L 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全稱:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High power and current handling capability
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