參數(shù)資料
型號(hào)： AO4850
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： AO4850
10 Sec
Steady State
75
±25
V
DS
V
GS
3.1
2.4
2.3
1.8
I
DM
2
1.1
0.7
1.3
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
50
82
41
Max
62.5
110
50
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JL
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy 0.3mH
B
Junction and Storage Temperature Range
10
15
A
mJ
°C
°C/W
Units
°C/W
°C/W
R
θ
JA
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
T
A
=70°C
W
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
A
T
A
=70°C
Pulsed Drain Current
B
15
Continuous Drain
Current
A
T
A
=25°C
I
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
V
V
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Maximum
Units
Symbol
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
AO4850
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 75V
I
D
= 3.1A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 130m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 165m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4850 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The two MOSFETs
may be used in H-bridge, Inverters and other applications.
AO4850 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications).
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4900A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4900AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4900 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4900L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4902 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4850L 功能描述:MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4852 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4852L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:450pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4854 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSF N CH DL 30V 8A 8SOIC
AO4854L 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全稱:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High power and current handling capability
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