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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AO4836 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | AO4836 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
55
92
37
Max
62.5
110
50
R
θ
JL
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Maximum
30
±20
7.2
Units
V
V
A
T
A
=70°C
6.1
30
2
Pulsed Drain Current
B
T
A
=25°C
I
D
T
A
=70°C
1.44
W
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
°C/W
°C/W
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4836
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7.2A
R
DS(ON)
< 24m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 40m
(V
GS
= 4.5V)
ESD rating: 1500V (HBM)
General Description
The AO4836 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
two MOSFETs make a compact and efficient switch
and synchronous rectifier combination for use in
buck converters. It is ESD protected.
AO4836 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AO4836L is a Green Product ordering option.
AO4836 and AO4836L are electrically identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
G1
D1
S1
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4836L | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4840 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4840L | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4842 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4844 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AO4840 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 40V 6A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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