參數(shù)資料
型號： AO4842
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 138K
代理商： AO4842
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
50
82
41
Max
62.5
110
50
R
θ
JL
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Maximum
30
±20
7.5
Units
V
V
A
T
A
=70°C
6.4
30
2
Pulsed Drain Current
B
T
A
=25°C
I
D
T
A
=70°C
1.44
W
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
°C/W
°C/W
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4842
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7.5A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 22m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 35m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4842 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
two MOSFETs make a compact and efficient switch
and synchronous rectifier combination for use in
buck converters.
AO4842 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AO4842L is a Green
Product ordering option. AO4842 and AO4842L
are electrically identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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