參數(shù)資料
型號： AO4800BL
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： AO4800BL
AO4800B/L
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTIC
S
THIS PRO0.1
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT T
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITSingle Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.0001 0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
1
10
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
μ
s
10ms
1ms
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°C/W
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4801A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4801 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4801L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4802 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4802L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4800C 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-Channel MOSFET
AO4800L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device
AO4801 制造商:AOS 功能描述:MOSFET
AO4801_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AO4801A 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
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