參數(shù)資料
型號： AO4708
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： AO4708
AO4708
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 12: Diode Reverse Leakage Current vs.
Junction Temperature
I
R
VDS=12V
VDS=24V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 13: Diode Forward voltage vs. Junction
Temperature
V
S
(
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
25
30
Is (A)
Figure 14: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. Conduction Current
Q
r
0
4
8
12
16
20
I
di/dt=1000A/us
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10
15
20
25
30
Is (A)
Figure 15: Diode Reverse Recovery Time and Soft
Coefficient vs. Conduction Current
t
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
S
I
S
=1A
10A
20A
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000
1200
di/dt (A)
Figure 16: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. di/dt
Q
r
0
3
6
9
12
15
I
4
6
8
10
12
14
16
18
0
200
400
600
800
1000
1200
di/dt (A)
Figure 17: Diode Reverse Recovery Time and Soft
Coefficient vs. di/dt
t
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
S
di/dt=1000A/us
125oC
125oC
125oC
125oC
125oC
125oC
125oC
125oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
Is=20A
Is=20A
Qrr
Irm
trr
Qrr
Irm
trr
S
S
5A
30A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4709 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4709L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4710 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4712 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4714 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AO4709 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4709L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4710 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4710_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4710L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
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