參數(shù)資料
型號: AO4617
廠商: ALPHA
英文描述: Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 增強模式互補場效應晶體管
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大?。?/td> 151K
代理商: AO4617
AO4617
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3.5V
4V
10V
5V
4.5V
0
5
10
15
20
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
-40°C
20
30
40
50
0
5
10
15
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
-40°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=10V
I
D
=6A
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
10
20
30
40
50
60
70
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=6A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料
PDF描述
AO4619 Diode; Antenna switching; VR (V): 60; IF (mA): 50; Pd (mW): 150; rf (ohm) max: 1.8; Condition IF at rf (mA): 10; Condition f at rf (MHz): 100; VF (V) max: 0.9; Condition IF at VF (mA): 2; C (pF) max: 0.45; Condition VR at C (V): 1; Condition f at C (MHz): 1; Package: SFP
AO4620 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4621 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4622 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4624 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AO4618 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8/7A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4619 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4619L 制造商:AOS 功能描述:MOSFET
AO4620 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4620_12 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor