參數(shù)資料
型號： AO4617
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： AO4617
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-40
±20
Units
V
V
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
A
mJ
°C
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
48
74
35
48
74
35
Max
62.5
110
50
62.5
110
50
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
-25
2
1.28
17
43
T
A
=70°C
Power Dissipation
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy 0.3mH
B
T
A
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
Junction and Storage Temperature Range
A
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
W
6
5
30
2
1.28
13
25
-4
-5
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Max n-channel
40
±20
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4617
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 40V -40V
I
D
= 6A (V
GS
=10V) -5A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 32m
(V
GS
=10V) < 48m
(V
GS
= -10V)
< 45m
(V
GS
=4.5V) < 75m
(V
GS
= -4.5V)
ESD rating: 3000V (HBM)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AO4617 uses advanced trench
technology MOSFETs to provide excellen
R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs may be used
in H-bridge, Inverters and other
applications.
Standard Product AO4617
is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AO4617L is a Green
Product ordering option. AO4617 and
AO4617L are electrically identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
n-channel
p-channel
G2
D2
S2
G1
D1
S1
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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