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參數(shù)資料
| 型號： | AO4606 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | LJT 55C 55#22D PIN RECP |
| 中文描述： | 增強模式互補場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 687K |
| 代理商： | AO4606 |
AO
4606
N-CHANNEL
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
V
G
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| AO4607 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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參數(shù)描述 |
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