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參數(shù)資料
| 型號： | AO4606 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | LJT 55C 55#22D PIN RECP |
| 中文描述： | 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 687K |
| 代理商： | AO4606 |
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±20
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
48
74
35
48
74
35
Max
62.5
110
60
62.5
110
40
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JL
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
t
≤
10s
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
30
±20
6.9
5.8
30
2
1.44
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Max n-channel
W
-5
-30
-6
2
1.44
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
AO460
6
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Feb 2003
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 30V -30V
I
D
= 6.9A -6A
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 28m
(V
GS
=10V) < 35m
(V
GS
=
10
V)
< 42m
(V
GS
=4.5V) < 58m
(V
GS
=
4.5
V)
General Description
The AO460
6
uses advanced trench
technology MOSFETs to provide excellent
R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs may be used
to form a level shifted high side switch,
and for a host of other applications.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-channel
p-channel
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4607 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4607L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4610 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4610L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4611 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4606_101 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4606_12 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Complementary MOSFET |
| AO4606L | 功能描述:MOSFET N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:310pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
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| AO4607 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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