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參數(shù)資料
| 型號： | AO4480 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | AO4480 |
AO4480
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
150
60
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.001
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note F)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
V
DS
=20V
I
D
=14A
Single Pulse
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=150°C
Tc=25°C
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=75°C/W
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
V
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
μ
s
10ms
1ms
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
100
μ
s
100ms
1s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4600 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4600L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4601 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4601L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4604 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AO4482L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4482L_102 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
| AO4484 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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