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參數(shù)資料
| 型號： | AO4480 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | AO4480 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
30
59
16
Max
40
75
24
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
°C
-55 to 150
3.1
2.0
30
135
W
T
A
=70°C
Power Dissipation
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy 0.3mH
B
T
A
=25°C
P
D
Maximum
40
±20
14
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
AF
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
Pulsed Drain Current
B
70
A
T
A
=70°C
11
T
A
=25°C
I
DSM
A
mJ
AO4480
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 14A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 11
.5
m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 15.5m
(V
GS
= 4.5V)
ESD Rating: 4KV HBM
UIS Tested
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AO4480 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge. It is ESD
Protected. This device is suitable for use as a low side
switch in SMPS and general purpose applications.
Standard Product AO4480 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications).
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4600 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4600L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4601 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4601L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4604 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4480_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:40V N-Channel MOSFET |
| AO4482 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AO4482L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| AO4482L_102 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
| AO4484 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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