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參數(shù)資料
| 型號： | AO4480 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | AO4480 |
AO4480
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
500
150
60
0
20
40
60
80
100
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
-40°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
V
GS
=10V
I
D
=14A
5
10
15
20
25
30
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=14A
25°C
125°C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3V
4V
10V
5V
V
GS
=3.5V
-40°C
-40°C
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4600 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4600L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4601 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4601L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4604 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AO4482L | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
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| AO4484 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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