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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM81719-040 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | RF & Microwave Transistors Telemetry Applications(用于遙測(cè)的RF和微波晶體管) |
| 中文描述： | 射頻 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | AM81719-040 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
TELEMETRY APPLICATIONS
.400 X .400 2 LFL (M228)
hermetically sealed
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
.
EMITTER SITE BALLASTED
.
INPUT/OUTPUT MATCHING
.
OVERLAY GEOMETRY
.
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
.
P
OUT
=
40 W MIN. WITH 7 dB GAIN
DESCRIPTION
The AM81719-040 is a high power silicon NPN
bipolar transistor designed for Class C, CW com-
munications and telemetry applications in the
1.75 - 1.85 GHz frequency range.
An emitter-ballasted refractory-gold overlay die
geometry with computerized automatic wire-
bonding is employed to ensure long-term reliabil-
ity and product consistency.
PIN CONNECTION
BRANDING
81719-40
ORDER CODE
AM81719-040
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25
°
C)
Symbol
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
Parameter
Value
79.5
4.8
30
200
Unit
W
A
V
°
C
°
C
Power Dissipation*
Device Current*
Collector-Supply Voltage*
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
65 to +200
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance*
2.2
°
C/W
*Appliesonly to ratedRF amplifieroperation
AM81719-040
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
THERMAL DATA
PRELIMINARY DATA
July 6, 1995
1/3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM81720-012 | RF & Microwave Transistors Communications Applications(用于通信的RF和微波晶體管) |
| AM82223-010 | TELEMETRY APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| AM82223-018 | BJT |
| AM82520JC | 20 MHZ,IND TEMP,GREEN,5V(MCU AVR) |
| AM82520JCB | 10 MHZ,MLF,IND TEMP,GREEN,1.8V(MCU AVR) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM81720-012 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:COMMUNICATIONS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| AM8172DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述: |
| AM8172DCB | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述: |
| AM8172DE | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述: |
| AM8172DEB | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述: |
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