參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21125EU
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 217K
代理商： AGR21125EU
Agere Systems Inc.
5
Preliminary Data Sheet
AGR21125E
April 2004
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 4. Two-Tone Power Gain vs. Output Power and IDQ
Figure 5. IMD3 vs. Output Power and IDQ
11.00
11.50
12.00
12.50
13.00
13.50
14.00
14.50
15.00
1
10
100
1000
OUTPUT POWER (W) PEP
POWER
GAIN
(dB)
S
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
TWO-TONE
MEASUREMENT
IDQ = 800 mA
IDQ = 1000 mA
IDQ = 1200 mA
IDQ = 1400 mA
IDQ = 1600 mA
10 MHz TONE
SPACING
-70.00
-65.00
-60.00
-55.00
-50.00
-45.00
-40.00
-35.00
-30.00
-25.00
-20.00
1
10
100
1000
OUTPUT POWER (W) PEP
IMD3,
THIRD
ORDER
(dBc)
s
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
TWO-TONE
MEASUREMENT
10 MHz TONE
SPACING
IDQ = 800 mA
IDQ = 1000 mA
IDQ = 1600 mA
IDQ = 1400 mA
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PDF描述
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