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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AGR21125EU |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | AGR21125EU |
4
Agere Systems Inc.
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR21125E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f )
ZS
(Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
2110 (f1)
3.8 – j8.7
1.4 + j0.7
2140 (f2)
3.4 – j8.2
1.4 + j0.8
2170 (f3)
3.3 – j7.7
1.3 + j0.9
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
.7
0.7
0
.8
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180±
90
-90
-8
5
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.0
4
0.05
0.0
6
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.1
7
0.1
8
0.1
9
0.2
1
0.2
2
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0
.2
8
0.2
9
0.3
1
0.3
2
0.3
3
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.4
2
0.43
0.4
4
0.45
0.4
6
0
.47
0.48
0.49
0.0
A
N
G
L
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F
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T
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(-
jB
/
Y
o
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
F
ZL
f3
f1
ZS
f3
f1
Z0 = 10
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| AGR21125EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26045EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26045EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EU | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26180EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AGR21N090EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR26045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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| AGR26125EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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