參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21125EF
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-2
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大小： 217K
代理商： AGR21125EF
8
Agere Systems Inc.
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR21125E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 10. AM-AM and AM-PM Characteristics
12
12.5
13
13.5
14
14.5
0
1020
3040
50
INPUT POWER PIN (dBm)
POWER
GAIN
(dB)
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
PHASE
(DEGREES)
AM-AM
(POWER GAIN [dB])
AM-PM
(PHASE [DEGREES])
VDD = 28 Vdc
FO = 2140 MHz
IDQ = 1200 mA
CW INPUT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR21125EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21125EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21125EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR26045EF UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR26045EF UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
AGR21125EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21180EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21N090EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26125E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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