Revision 4 2-163 User I/O Characteristics Timing Model Figure 2-115 Timing Model
參數(shù)資料
型號(hào)： AFS250-FG256I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 89/334頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 2MB FLASH 250K 256FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： Fusion®
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 114
門(mén)數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 100°C
封裝/外殼： 256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 256-FPBGA（17x17）
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Fusion Family of Mixed Signal FPGAs
Revision 4
2-163
User I/O Characteristics
Timing Model
Figure 2-115 Timing Model
Operating Conditions: –2 Speed, Commercial Temperature Range (TJ =70°C),
Worst-Case VCC = 1.425 V
DQ
Y
DQ
Y
Combinational Cell
Register Cell
I/O Module
(Non-Registered)
LVPECL (Pro IO banks)
LVPECL
(Pro IO Banks)
LVDS,
BLVDS,
M-LVDS (Pro IO Banks)
GTL+ 3.3 V
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
LVTTL/LVCMOS 3.3 V (Pro I/O banks)
Output drive strength = 24 mA
High slew rate
LVCMOS 1.5 V (Pro IO banks)
Output drive strength = 12 mA
High slew
LVTTL/LVCMOS 3.3 V (Pro I/O banks)
Output drive strength = 12 mA
High slew rate
IInput LVTTL/LVCMOS
3.3 V (Pro IO banks)
Input LVTTL/LVCMOS
3.3 V (Pro IO banks)
Input LVTTL/LVCMOS
3.3 V (Pro IO banks)
I/O Module
(Non-Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
tPD = 0.56 ns
tPD = 0.49 ns
tDp = 1.60 ns
tPD = 0.87 ns
tDP = 2.74 ns
tPD = 0.51 ns
tPD = 0.47 ns
tOCLKQ = 0.59 ns
tOSUD = 0.31 ns
tPY = 0.90 ns
tDP = 1.53 ns
tDP = 3.30 ns
tDP = 2.39 ns
tCLKQ = 0.55 ns
tSUD = 0.43 ns
tPY = 0.90 ns
tCLKQ = 0.55 ns
tSUD = 0.43 ns
tPY = 1.36 ns
tPY = 0.90 ns
tPY = 1.22 ns
tICLKQ = 0.24 ns
tISUD = 0.26 ns
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