2-222 Revision 4 DDR Module Specifications Input DDR Module Figure 2-142 Input DDR Timing Model Table" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AFS250-FG256I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 155/334頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 2MB FLASH 250K 256FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： Fusion®
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 114
門(mén)數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 100°C
封裝/外殼： 256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 256-FPBGA（17x17）
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Device Architecture
2-222
Revision 4
DDR Module Specifications
Input DDR Module
Figure 2-142 Input DDR Timing Model
Table 2-179 Parameter Definitions
Parameter Name
Parameter Definition
Measuring Nodes (from, to)
tDDRICLKQ1
Clock-to-Out Out_QR
B, D
tDDRICLKQ2
Clock-to-Out Out_QF
B, E
tDDRISUD
Data Setup Time of DDR Input
A, B
tDDRIHD
Data Hold Time of DDR Input
A, B
tDDRICLR2Q1
Clear-to-Out Out_QR
C, D
tDDRICLR2Q2
Clear-to-Out Out_QF
C, E
tDDRIREMCLR
Clear Removal
C, B
tDDRIRECCLR
Clear Recovery
C, B
Input DDR
Data
CLK
CLKBUF
INBUF
Out_QF
(to core)
FF2
FF1
INBUF
CLR
DDR_IN
E
A
B
C
D
Out_QR
(to core)
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PDF描述
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AFS250-FGG256I 功能描述:IC FPGA 2MB FLASH 250K 256FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門(mén)數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA（27X27）
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