Revision 13 2-101 Timing Characteristics 1.5 V DC Core Voltage 1.2 V DC Core Voltage Table 2-176 " />
參數(shù)資料
型號： A3P600L-FGG256
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 21/242頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 600K 256-FBGA
標準包裝： 90
系列： ProASIC3L
RAM 位總計： 110592
輸入/輸出數(shù)： 177
門數(shù)： 600000
電源電壓： 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 256-LBGA
供應商設備封裝： 256-FPBGA（17x17）
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ProASIC3L Low Power Flash FPGAs
Revision 13
2-101
Timing Characteristics
1.5 V DC Core Voltage
1.2 V DC Core Voltage
Table 2-176 LVDS – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Applicable to Pro I/O Banks
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
Units
Std.
0.59
1.65
0.04
2.18
ns
–1
0.50
1.40
0.03
1.85
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-177 LVDS – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
Units
Std.
0.54
1.65
0.04
1.44
ns
–1
0.46
1.40
0.03
1.23
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-178 LVDS – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Applicable to Pro I/O Banks
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
Units
Std.
0.77
1.68
0.05
2.18
ns
–1
0.66
1.43
0.04
1.85
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-179 LVDS – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
Units
Std.
0.70
1.65
0.05
1.44
ns
–1
0.60
1.40
0.04
1.23
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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PDF描述
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