2-62 Revision 13 Table 2-82 1.5 V LVCMOS High Slew Commercial-Case Conditions: " />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3P1000-1FGG256I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 195/220頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 1M 256-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3
RAM 位總計(jì)： 147456
輸入/輸出數(shù)： 177
門數(shù)： 1000000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 256-FPBGA（17x17）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)第179頁(yè)第180頁(yè)第181頁(yè)第182頁(yè)第183頁(yè)第184頁(yè)第185頁(yè)第186頁(yè)第187頁(yè)第188頁(yè)第189頁(yè)第190頁(yè)第191頁(yè)第192頁(yè)第193頁(yè)第194頁(yè)當(dāng)前第195頁(yè)第196頁(yè)第197頁(yè)第198頁(yè)第199頁(yè)第200頁(yè)第201頁(yè)第202頁(yè)第203頁(yè)第204頁(yè)第205頁(yè)第206頁(yè)第207頁(yè)第208頁(yè)第209頁(yè)第210頁(yè)第211頁(yè)第212頁(yè)第213頁(yè)第214頁(yè)第215頁(yè)第216頁(yè)第217頁(yè)第218頁(yè)第219頁(yè)第220頁(yè)
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-62
Revision 13
Table 2-82 1.5 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.66
7.83
0.04
1.42
0.43
6.42
7.83
2.71
2.55
8.65
10.07
ns
–1
0.56
6.66
0.04
1.21
0.36
5.46
6.66
2.31
2.17
7.36
8.56
ns
–2
0.49
5.85
0.03
1.06
0.32
4.79
5.85
2.02
1.90
6.46
7.52
ns
4 mA
Std.
0.66
4.84
0.04
1.42
0.43
4.49
4.84
3.03
3.13
6.72
7.08
ns
–1
0.56
4.12
0.04
1.21
0.36
3.82
4.12
2.58
2.66
5.72
6.02
ns
–2
0.49
3.61
0.03
1.06
0.32
3.35
3.61
2.26
2.34
5.02
5.28
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-83 1.5 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.66
12.08 0.04 1.42
0.43
12.01 12.08 2.72 2.43 14.24 14.31
ns
–1
0.56
10.27 0.04 1.21
0.36
10.21 10.27 2.31 2.06 12.12 12.18
ns
–2
0.49
9.02
0.03 1.06
0.32
8.97
9.02
2.03 1.81 10.64 10.69
ns
4 mA
Std.
0.66
9.28
0.04 1.42
0.43
9.45
8.91
3.04 3.00 11.69 11.15
ns
–1
0.56
7.89
0.04 1.21
0.36
8.04
7.58
2.58 2.55
9.94
9.49
ns
–2
0.49
6.93
0.03 1.06
0.32
7.06
6.66
2.27 2.24
8.73
8.33
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-84 1.5 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Standard I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.66
7.65
0.04
1.42
0.43
6.31
7.65
2.45
ns
–1
0.56
6.50
0.04
1.21
0.36
5.37
6.50
2.08
ns
–2
0.49
5.71
0.03
1.06
0.32
4.71
5.71
1.83
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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A3P1000-1FGG484I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:ProASIC3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA（27X27）
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