參數(shù)資料
型號(hào)： 71V3557SA85BG8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, POWER, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 3/28頁
文件大小： 511K
代理商： 71V3557SA85BG8
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
11
NOTES:
1.
CE2 timing transition is identical to CE1 signal. CE2 timing transition is identical but inverted to the CE1 and CE2 signals.
2. H = High; L = Low; X = Don't Care; Z = High Impedence.
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles (2)
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE1(1)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
HL
L
X
D1
Load read
n+1
X
H
X
L
X
L
Q0
Burst read
n+2
A1
HL
L
X
L
Q0+1
Load read
n+3
X
L
H
L
X
L
Q1
Deselect or STOP
n+4
X
H
X
L
X
Z
NOOP
n+5
A2
HL
L
X
Z
Load read
n+6
X
H
X
L
X
L
Q2
Burst read
n+7
X
L
H
L
X
L
Q2+1
Deselect or STOP
n+8
A3
LL
L
X
Z
Load write
n+9
X
H
X
L
X
D3
Burst write
n+10
A4
LL
L
X
D3+1
Load write
n+11
X
L
H
L
X
D4
Deselect or STOP
n+12
X
H
X
L
X
Z
NOOP
n+13
A5
LL
L
X
Z
Load write
n+14
A6
HL
L
X
D5
Load read
n+15
A7
L
LL
Q6
Load write
n+16
X
H
X
L
X
D7
Burst write
n+17
A8
HL
L
X
D7+1
Load read
n+18
X
H
X
L
X
L
Q8
Burst read
n+19
A9
L
LL
Q8+1
Load write
5282 tbl 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V67703S75BQ 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
72-30-33 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-40-43 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-10-14 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-30-13 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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