參數(shù)資料
型號(hào)： 71V25761S183PF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 20/22頁(yè)
文件大小： 618K
代理商： 71V25761S183PF8
6.42
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration – 256K x 18, 119 BGA
Pin Configuration – 128K x 36, 119 BGA
Top View
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage
≥ VIH, or left unconnected.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4.
TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.
1234
567
A
VDDQ
A6
A4
ADSP
A8
A16
VDDQ
B
NC
CS0
A3
ADSC
A9
CS1
NC
C
A7
A2
VDD
A12
A15
NC
D
I/O16
I/OP3
VSS
NC
VSS
I/OP2
I/O15
E
I/O17
I/O18
VSS
CE
VSS
I/O13
I/O14
F
VDDQ
I/O19
VSS
OE
VSS
I/O12
VDDQ
G
I/O20
I/O21
BW3
ADV
BW2
I/O11
I/O10
H
I/O22
I/O23
VSS
GW
VSS
I/O9
I/O8
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
I/O24
I/O26
VSS
CLK
VSS
I/O6
I/O7
L
I/O25
I/O27
BW4
NC
BW1
I/O4
I/O5
M
VDDQ
I/O28
VSS
BWE
VSS
I/O3
VDDQ
N
I/O29
I/O30
VSS
A1
VSS
I/O2
I/O1
P
I/O31
I/OP4
VSS
A0
VSS
I/O0
I/OP1
R
NC
A5
LBO
VDD
A13
T
NC
A10
A11
A14
NC
ZZ(3)
U
VDDQ
5297 drw 04
VDD /NC(1)
NC
,
NC/TMS(2) NC/TDI(2)
NC/TCK(2) NC/TDO(2) NC/
TRST(2,4)
1234567
A
VDDQ
A6
A4
ADSP
A8
A16
VDDQ
B
NC
C
NC
CS0
A3
ADSC
A9
CS1
NC
A7
A2
VDD
A13
A17
NC
D
I/O8
NC
VSS
NC
VSS
I/O7
NC
E
NC
I/O9
VSS
CE
VSS
NC
I/O6
F
VDDQ
NC
VSS
OE
VSS
I/O5
VDDQ
G
NC
I/O10
BW2
ADV
NC
I/O4
H
I/O11
NC
VSS
GW
VSS
I/O3
NC
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
NC
I/O12
VSS
CLK
VSS
NC
I/O2
L
I/O13
NC
BW1
I/O1
NC
M
VDDQ
I/O14
VSS
BWE
VSS
NC
VDDQ
N
I/O15
NC
VSS
A1
VSS
I/O0
NC
P
NC
I/OP2
VSS
A0
VSS
NC
I/OP1
R
NC
A5
LBO
VDD
A12
T
NC
A10
A15
NC
A14
A11
ZZ(3)
U
VDDQ
5297 drw 05
VDD / NC(1)
NC
VSS
,
NC/TMS(2) NC/TDI(2)
NC/TCK(2) NC/TDO(2) NC/
TRST(2,4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V3557SA75BGI8 128K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
71V3557SA85BG8 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
71V67703S75BQ 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
72-30-33 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-40-43 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
71V25761S183PFG 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
71V25761S183PFG8 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
71V25761S183PFGI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
71V25761S183PFGI8 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb PB靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
71V25761S200BG 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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