- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄298476 > 70P249L65BYGI (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 40 ns, PBGA100 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 70P249L65BYGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 40 ns, PBGA100 |
| 封裝： | 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
| 文件頁數(shù)： | 11/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | 70P249L65BYGI |
6.42
19
IDT70P269/259/249L
Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial Temperature Range
OCTOBER 16, 2008
Truth Table V — Input Read Register Operation(3)
NOTES:
1.
UB or LB = VIL. If LB = VIL, then I/O0 - I/O7 are VALID. If UB = VIL, then I/O8 - I/O15 are VALID.
2.
LB must be active (LB = VIL) for these bits to be valid.
3.
SFEN = VIL to activate IRR reads.
4.
Valid data bits from memory.
SFEN
CE
R/
W
OE
UB
LB
ADDR
I/O0-I/O4
I/O5-I/O15
Mode
HL
H
X(1)
L(2)
x0000 - Max
VALID(2)
Standard Memory Access
LLL
X
L
x0001
VALID
(3)
VALID
(4)
ODR Write
(4,5)
L
H
L
X
L
x0001
VALID(3)
VALID(6)
ODR Read(5)
7146 tbl 19
Truth Table VI — Output Drive Register Operation(5)
NOTES:
1. Output enable must be low (OE = Vil) during reads for valid data to be output.
2.
UB or LB = VIL. If LB = VIL, then I/O0 - I/O7 are VALID. If UB = VIL, then I/O8 - I/O15 are VALID.
3.
LB must be active (LB = VIL) for these bits to be valid.
4. During ODR writes data will also be written to the memory.
5.
SFEN = VIL to activate ODR reads and writes.
6.
Valid data bits from memory.
SFEN
CS
WE
OE
UB
LB
ADDR
I/O0-I/O1
I/O2-I/O15
Mode
HL
H
L
L(1)
x0000 - Max
VALID(1)
Standard Memory Access
L
H
L
X
L
x0000
VALID(2)
VALID(4)
IRR Read(3)
7146 tbl 18
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 70R89-P | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| 70R89-59 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| 70R89-58 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| 70R89-50 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| 70R89-49 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 70P249L65BYGI8 | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 Low Power Dual-Port RAM IC RoHS:否 制造商:IDT 存儲容量: 組織: 訪問時間: 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作電流: 最大工作溫度: 最小工作溫度: 安裝風格: 封裝 / 箱體: 封裝: |
| 70P249L90BYGI | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 90NS 100FBGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:64K（4K x 16） 速度:90ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:100-TFBGA 供應商器件封裝:100-CABGA（6x6） 標準包裝:90 |
| 70P249L90BYGI8 | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 Low Power Dual-Port RAM IC RoHS:否 制造商:IDT 存儲容量: 組織: 訪問時間: 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作電流: 最大工作溫度: 最小工作溫度: 安裝風格: 封裝 / 箱體: 封裝: |
| 70P24L20BF | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 1.8V 64KBIT 4K X 16 20NS 100BGA - Bulk |
| 70P24L20BF8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 1.8V 64KBIT 4K X 16 20NS 100BGA - Tape and Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。