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參數(shù)資料
| 型號： | 6MBI225U4-170 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE |
| 中文描述： | 300 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-29 |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 519K |
| 代理商： | 6MBI225U4-170 |
H04-004-03a
MS5F6306
14
a
11
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V,-VGE <= 15V, RG >= 2.2
Ω
,Tj <= 125°C
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=900V, Ic=225A, VGE=±15V, Tj= 125°C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=900V, VGE=±15V, Rg=2.2
Ω
, Tj=125°C
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=900V, Ic=225A, VGE=±15V, Tj= 25°C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=900V, VGE=±15V, Rg=2.2
Ω
, Tj= 25°C
Stray inductance <= 100nH
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=900V, VGE=±15V, Rg=2.2
Ω
10
100
1000
10000
0
100
200
300
400
Collector current : Ic [A]
S
ton
toff
tr
tf
10
100
1000
10000
0
100
200
300
400
Collector current : Ic [A]
S
ton
tr
tf
toff
10
100
1000
10000
0.1
1.0
10.0
100.0
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
tr
tf
ton
toff
0
25
50
75
100
125
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450
Collector current : Ic [A]
S
Eon(125°C)
Eoff(25°C)
Eon(25°C)
Eoff(125°C)
Err(125°C)
Err(25°C)
0
50
100
150
200
250
0.1
1.0
10.0
100.0
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eoff
Err
Eon
0
100
200
300
400
500
600
0
500
1000
1500
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI25F-120 | IGBT MODULE(1200V 25A) |
| 6MBI25LB-120 | IGBT(1200V 25A) |
| 6MBI25L-120 | IGBT(1200V 25A) |
| 6MBI25S-120 | IGBT(1200V/25A) |
| 6MBI25S-120L | IGBT(1200V/6x25A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6MBI225V-120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI25-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| 6MBI25F-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE(1200V 25A) |
| 6MBI25GS-060-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 6MBI25J120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
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