參數(shù)資料
型號(hào)： 6MBI225U4-170
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 300 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-29
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大小： 519K
代理商： 6MBI225U4-170
H04-004-03a
MS5F6306
14
a
10
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C/ chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25°C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=900V
，
Ic=225A
，
Tj= 25°C
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
C
Ic=450A
Ic=225A
Ic=112.5A
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Cies
Coes
Cres
0
200
400
600
800
Gate charge : Qg [nC]
C
G
VGE
VCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI25F-120 IGBT MODULE(1200V 25A)
6MBI25LB-120 IGBT(1200V 25A)
6MBI25L-120 IGBT(1200V 25A)
6MBI25S-120 IGBT(1200V/25A)
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參數(shù)描述
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