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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK186 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 3SK186 |
3SK186
4
Forward Transfer Admittance vs.
Gate 1 to Source Voltage
Gate 1 to Source Voltage V
G1S
(V)
F
y
f
20
16
12
8
4
0
–0.4
0
0.8
1.6
0.4
1.2
V
G2S
= 0.5 V
V
DS
= 6 V
2.5
3
2.0
1.5
1.0
Power Gain vs. Drain Current
Drain Current I
D
(mA)
P
20
16
12
8
4
0
2
6
10
4
8
V
DS
= 4 V
V
G2S
= 3 V
f = 900 MHz
Noise Figure vs. Drain Current
Drain Current I
D
(mA)
N
10
8
6
4
2
0
2
6
10
4
8
V
DS
= 4 V
V
= 3 V
f = 900 MHz
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PDF描述 |
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