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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK186 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 3SK186 |
3SK186
3
Maximum Channel Power
Dissipation Curve
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
c
200
300
100
0
50
100
150
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
20
16
12
8
4
0
2
6
10
V
G1S
= 0 V
8
V
G2S
= 3 V
0.8
P
c
5 mW
4
1.6
1.4
1.0
0.6
0.4
0.2
1.2
Drain Current vs. Gate 1
to Source Voltage
Gate 1 to Source Voltage V
G1S
(V)
D
D
20
16
12
8
4
0
–0.8
0
1.6
3.2
0.8
2.4
V
G2S
= 0.5 V
V
DS
= 4 V
3
2
1.0
1.5
2.5
Drain Current vs. Gate 2
to Source Voltage
Gate 2 to Source Voltage V
G2S
(V)
D
D
20
16
12
8
4
0
0.8
2.4
4.0
1.6
3.2
V
G1S
= 0
V
DS
= 4 V
1.5
1.75
1.25
0.75
0.25
0.5
1.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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