參數(shù)資料
型號(hào): 2SK4081-ZK-E1-AY
廠商: NEC Corp.
英文描述: SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述: 開關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 5/8頁
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代理商: 2SK4081-ZK-E1-AY
Data Sheet D18785EJ2V0DS
5
2SK4081
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
D
Ω
0
2
4
6
8
10
12
-75
-25
25
75
125
175
I
D
= 2.0 A
1.0 A
V
GS
= 10 V
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
i
,
o
,
r
0.1
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
1000
C
rss
C
iss
C
oss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
0.1
1
10
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
Ω
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
I
D
- Drain Current - A
D
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
V
GS
I
D
= 2.0 A
V
DD
= 450 V
300 V
150 V
Q
G
- Gate Charge - nC
G
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
F
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1
1.5
Pulsed
0 V
V
GS
= 10 V
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
r
10
100
1000
0.1
1
10
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
F
- Diode Forward Current - A
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PDF描述
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2SK4085LS 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube