參數(shù)資料
型號(hào): 2SK4081-ZK-E1-AY
廠商: NEC Corp.
英文描述: SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述: 開(kāi)關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
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代理商: 2SK4081-ZK-E1-AY
Data Sheet D18785EJ2V0DS
4
2SK4081
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
D
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
35
Pulsed
10 V
V
GS
= 20 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
D
-
0.01
0.1
1
10
0
4
8
12
16
20
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
55
°
C
40
°
C
25
°
C
25
°
C
75
°
C
125
°
C
150
°
C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
G
0
1
2
3
4
5
6
-75
-25
25
75
125
175
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
f
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
55
°
C
40
°
C
25
°
C
25
°
C
75
°
C
125
°
C
150
°
C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
D
Ω
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
Pulsed
I
D
= 2.0 A
1.0 A
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
D
Ω
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
20 V
V
GS
= 10 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
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PDF描述
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2SK4084LS 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK4085LS 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube