參數(shù)資料
型號: 2SK359
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大小: 31K
代理商: 2SK359
2SK359
5
6
10
4
8
12
0
2
4
6
2
0
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
35
30
25
20
15
10
5
Power Gain, Noise Figure vs.
Drain to Source Voltage
P
N
f = 100 MHz
PG
NF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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