參數(shù)資料
型號: 2SK3371(2-7J1B)
元件分類: JFETs
英文描述: 1 A, 600 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: LEAD FREE, 2-7J1B, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 214K
代理商: 2SK3371(2-7J1B)
2SK3371
2004-07-06
5
Safe operating area
D
rain
cu
rre
nt
I D
(A)
Channel temperature (initial) Tch (°C)
EAS – Tch
A
val
a
nc
he
en
er
gy
E
AS
(mJ
)
rth – tw
Pulse width tw (s)
N
or
m
aliz
ed
t
ra
ns
ie
nt
t
he
rm
al
im
pe
da
nc
e
r th
(t)
/R
th
(c
h-c
)
Drain-source voltage VDS (V)
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
T
PDM
t
Duty
= t/T
Rth (ch-c) = 6.25°C/W
Single pulse
Duty
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
25
50
75
100
125
150
20
40
60
80
100
15 V
Test circuit
Waveform
IAR
BVDSS
VDD
VDS
RG = 25
VDD = 90 V, L = 100 mH
=
VDD
BVDSS
2
I
L
2
1
ΕAS
0.01
1
10
100
1000
0.1
1
10
ID max (pulsed) *
VDSS max
ID max (continuous)
DC Tc
= 25°C
100
s *
1 ms *
* Single nonrepetitive pulse
Tc
= 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK338 5 A, 400 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3391JX UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
2SK3391JX UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
2SK3402-Z 36000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK3431 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3372 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction
2SK33720RL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK33720SL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK33720TL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK33720UL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW