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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3371(2-7J1B) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-7J1B, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | 2SK3371(2-7J1B) |
2SK3371
2004-07-06
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)
2SK3371
Switching Regulator Applications
Features
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 6.4 (typ.)
High forward transfer admittance: |Yfs| = 0.85 S (typ.)
Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDSS = 600 V)
Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
VDSS
600
V
Drain-gate voltage (RGS = 20 k)
VDGR
600
V
Gate-source voltage
VGSS
±30
V
DC
(Note 1)
ID
1
Drain current
Pulse (Note 1)
IDP
2
A
Drain power dissipation (Tc
= 25°C)
PD
20
W
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
EAS
56
mJ
Avalanche current
IAR
1
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)
EAR
2
mJ
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max
Unit
Thermal resistance, channel to case
Rth (ch-c)
6.25
°C/W
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-a)
125
°C/W
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C, L = 100 mH, IAR = 1 A, RG = 25
Note 3: Repetitive rating;:pulse width limited by max channel
temperature
This transistor is an electrostatic-sensitive device.
Please handle with caution.
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-64
TOSHIBA
2-7B1B
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7J1B
Weight: 0.36 g (typ.)
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