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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3360 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | 2SK3360 |
Preliminary Data Sheet D14331EJ1V0DS00
3
2SK3360
10.0
±
0.3
3.2
±
0.2
φ
4.5
±
0.2
2.7
±
0.2
2.5
±
0.1
0.65
±
0.1
1.5
±
0.2
2.54
1.3
±
0.2
2.54
0.7
±
0.1
4
±
0
1
±
0
1
±
0
3
±
0
1
2 3
1.Gate
2.Drain
3.Source
1
M
Isolated TO-220 (MP-45F)
Body
Diode
Source (S)
Drain (D)
Gate (G)
PACKAGE DRAWING (Unit : mm)
EQUIVALENT CIRCUIT
Gate
Protection
Diode
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3361 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3377-Z | DIODE SCHOTTKY SINGLE 30V 150mW 0.38V-vf 200mA-IFM 1mA-IF 0.2uA-IR SOT-523 3K/REEL |
| 2SK3377 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3378 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3380 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3361 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3362 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:POWER MOSFET |
| 2SK3362-01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:MOSFETs |
| 2SK3363-01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 2SK3364-01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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