2SK3361

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK3361
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
NEC
TO-220
15+
-
原裝正品，假一罰十

2SK3361
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
NEC
TO-220
22+
-
十年配單，只做原裝

2SK3361
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000000
NEC
TO-220
2024+
-
正宗原裝現(xiàn)貨

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制造商
NEC
制造商全稱
NEC
功能描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

2SK3361 技術參數(shù)

2SK3342(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:2,000 2SK3320-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3320-GR(TE85L,F 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3320-BL(TE85L,F 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3318 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 20V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q) 2SK3475TE12LF 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L